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    • 专利摘要:
    Ineinem kapazitiven Halbleitersensor sind ein Sensorchip und ein Schaltkreischipin einem Gehäuseaufgenommen. Erste Erhebungselemente sind jeweils auf zweiten Elektrodenangebracht, die auf einer zweiten Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet sind.Der Sensorchip ist mit seiner ersten Oberfläche auf der zweiten Oberfläche desSchaltkreischips so angebracht, daß erste Elektroden, die aufder ersten Oberfläche desSensorchips angeordnet sind, jeweils durch die ersten Erhebungselementeelektrisch und mechanisch mit den zweiten Elektroden verbunden sind.Zweite Erhebungselemente sind auf dritten Elektroden angebracht,die jeweils auf der zweiten Oberfläche des Schaltkreischips angeordnetsind. Die dritten Elektroden sind jeweils durch die zweiten Erhebungselementeelektrisch und mechanisch mit Leitungselektroden verbunden, diean dem Gehäuseangeordnet sind.
    公开号:DE102004010905A1
    申请号:DE102004010905
    申请日:2004-03-05
    公开日:2004-10-28
    发明作者:Tameharu Kariya Ohta
    申请人:Denso Corp；
    IPC主号:B81B7-02
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft einen kapazitiven Halbleitersensorwie etwa einen Beschleunigungssensor (Akzelerometer) oder einenGierratensensor, welcher angepaßtist, um ein dynamisches Volumen als eine Kapazitätsänderung zu erfassen.
    [0002] Alseiner solcher herkömmlicherkapazitiver Halbleitersensoren, welcher bereits als japanische PatentveröffentlichungNr. 2000-227439 offenbart worden ist, weist ein wohlbekannter Akzelerometer eineStapelstruktur derart auf, daß eineMehrzahl von Halbleiterchips laminiert (gestapelt) ist (siehe 10 und 11).
    [0003] Beidiesem herkömmlichenkapazitiven Halbleitersensor ist ein Sensorchip 1 mit einem Beschleunigungserfassungsabschnitt,wie in 12 und 13 gezeigt, auf einem Schaltkreischip 2 miteiner zu verbindenden Signalverarbeitungsschaltung montiert. DerSchaltkreischip 2 ist auch auf der inneren Bodenfläche einesGehäuses 3,das eine konkave Gestalt in seinem vertikalen Querschnitt aufweist, verbunden,so daß derSensorchip 1 und der Schaltkreischip 2 in demGehäuse 3 enthaltensind.
    [0004] EineAnzahl von beispielsweise vier Elektrodenanschlußflecken 1a ist aufeinem randseitigen Endabschnitt der oberen Oberfläche desHalbleiterchips 1 ausgebildet. Eine Anzahl von beispielsweise vierElektrodenanschlußflecken 2a istauf randseitigen äußeren Endabschnittder oberen Oberfläche desSchaltkreischips 2 ausgebildet. Die Positionen der Elektrodenanschlußflecken 1a entsprechendenen der Elektrodenanschlußflecken 1b.
    [0005] DieElektrodenanschlußflecken 1a unddie Elektrodenanschlußflecken 1b sindjeweils durch Bonddrähte 4 elektrischverbunden. Leitungselektroden, welche beispielsweise auf beidenEndabschnitten der oberen Oberflächedes Gehäuses 3 ausgebildetsind, sind jeweils mit entsprechenden Leitungselektroden, die aufbeiden Endabschnitten der oberen Oberfläche des Schaltkreischips 2 ausgebildetsind, durch Bonddrähte 5 elektrischverbunden.
    [0006] Indieser Konfiguration des kapazitiven Halbleitersensors sind dieAbständezwischen den nebeneinander liegenden Bonddrähten 4 vergleichsweise eng,so daß parasitäre Kapazitäten, diezwischen den nebeneinander liegenden Bondrähten 4 erzeugt werden,vergleichsweise erhöhtsind.
    [0007] Zusätzlich kann,da der Bonddraht 4 leicht verformbar ist, eine äußere Einwirkungbewirken, daß dieBonddrähte 4 verformtwerden, so daß die parasitären Kapazitäten schwankenkönnen.Die Schwankung der parasitärenKapazitätenkann die Charakteristik des Sensors 1, d.h., die Erfassungsgenauigkeithiervon, beeinträchtigen.Um diese Beeinträchtigungzu verhindern, könnendie Elektrodenanschlußflecken 1a aufjedem randseitigen Endabschnitt der oberen Oberfläche desSensorchips ausgebildet sein, um die Abstände zwischen den nebeneinanderliegenden Bondrähten 4 zuvergrößern. DieseKonfiguration kann jedoch erfordern, Verbindungsbereiche auf deroberen Oberflächedes Schaltkreischips 2 sicherzustellen, was bewirkt, daß die Fläche desSchaltkreischips vergrößert wirdund die gesamte Größe des Schaltkreischips 2 vergrößert wird.
    [0008] EineVerpackung bzw. Konfektionierung des herkömmlichen Sensors muß unterEinbeziehung von Verbindungsbedingungen einschließlich derOrte von Werkzeugen zum Verbinden der Bonddrähte 4 und 5 ausgelegtwerden, so daß dieGestalt und Größe der Chips 1 und 2 unddes Gehäuses 3 jeweilsbegrenzt sind, was eine Verringerung der Auslegungsfreiheit desSensors bewirken kann.
    [0009] Beidem Sensor mit der vorgenannten Stapelstruktur als dem Sensorchip 1 wirdein Sensorchip angewendet, der so dünn wie möglich ist, um eine Vergrößerung derGesamtdicke des Sensors zu verhindern. Dieser Sensorchip kann jedocheine geringe Steifigkeit aufweisen, so daß er für Verformungen anfällig ist.Die Verformung des Sensorchips kann eine Wirkung auf den Beschleunigungserfassungsabschnitthierin aufweisen, was Fehler in den durch den BeschleunigungserfassungsabschnitterfaßtenWerten verursacht.
    [0010] Dievorliegende Erfindung ist vor dem Hintergrund gemacht worden.
    [0011] Demgemäß ist eseine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kapazitiven Halbleitersensorzu schaffen, welcher in der Lage ist, nahezu unbeeinträchtigt vonparasitärenKapazitätenzu sein, welche aus einem elektrischen Verbindungsabschnitt desHalbleitersensors zwischen seinem Sensorchip und einem Halbleiterchipauftreten.
    [0012] Gemäß einemGesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein kapazitiver Halbleitersensor bereitgestellt,welcher aufweist: einen Sensorchip, welcher hierin einen dynamischenVolumenerfassungsabschnitt, eine erste Ober fläche und eine Mehrzahl von erstenElektroden aufweist, wobei die Mehrzahl der ersten Elektroden aufder ersten Oberflächeangeordnet und elektrisch mit dem dynamischen Volumenerfassungsabschnittverbunden sind, wobei der dynamische Volumenerfassungsabschnitt konfiguriertist, um eine Kapazitätsänderungentsprechend einer dynamischen Volumenänderung zu erfassen, um durchdie Mehrzahl der ersten Elektroden eine elektrische Signaländerungauszugeben, welche die Kapazitätsänderungrepräsentiert;einen Schaltkreischip, welcher hierin eine Signalverarbeitungsschaltung,eine zweite Oberflächeund eine Mehrzahl von auf der zweiten Oberfläche angeordneten zweiten unddritten Elektroden aufweist; ein Gehäuse, welches hierin den Sensorchipund den Schaltkreischip enthältund eine Mehrzahl von Leitungselektroden aufweist; eine Mehrzahlvon jeweils auf der Mehrzahl der zweiten Elektroden angebrachtenersten Erhebungselementen, wobei der Sensorchip mit seiner erstenOberflächeauf der zweiten Oberflächedes Schaltkreischips so angebracht ist, daß die Mehrzahl der ersten Elektrodendurch die Mehrzahl der ersten Erhebungselemente jeweils elektrischund mechanisch mit der Mehrzahl der zweiten Elektroden verbundenist; und eine Mehrzahl von auf der Oberfläche von dritten Elektrodenjeweils angebrachten zweiten Erhebungselementen, wobei die Mehrzahlder dritten Elektroden jeweils durch die Mehrzahl der zweiten Erhebungselementeelektrisch und mechanisch mit der Mehrzahl der Leitungselektrodenverbunden ist.
    [0013] Gemäß einemanderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein in einemObjekt eingebauter Halbleiter-Akzelerator bereitgestellt, wobei derHalbleiter-Akzeleratoraufweist: einen Sensorchip, welcher hierin einen Beschleunigungserfassungsabschnitt,eine erste Oberflächeund eine Mehrzahl von ersten Elektroden aufweist, wobei die Mehrzahlder ersten Elektroden auf der ersten Oberfläche angeordnet und elektrischmit dem Beschleunigungserfassungsabschnitt verbunden sind, wobei derBeschleunigungserfassungsabschnitt konfiguriert ist, um eine Kapazitätsänderungentsprechend einer Beschleunigungsänderung des Objekts zu erfassen,um durch die Mehrzahl der ersten Elektroden eine elektrische Signaländerungauszugeben, welche die Kapazitätsänderungrepräsentiert;einen Schaltkreischip, welcher hierin eine Signalverarbeitungsschaltunq,eine zweite Oberflächeund eine Mehrzahl von auf der zweiten Oberfläche angeordneten zweiten unddritten Elektroden aufweist; ein Gehäuse, welches hierin den Sensorchipund den Schaltkreischip enthältund eine Mehrzahl von Leitungselektroden aufweist; eine Mehrzahlvon jeweils auf der Mehrzahl der zweiten Elektroden angebrachtenersten Erhebungselementen, wobei der Sensorchip mit seiner erstenOberflächeauf der zweiten Oberflächedes Schaltkreischips so angebracht ist, daß die Mehrzahl der ersten Elektrodendurch die Mehrzahl der ersten Erhebungselemente jeweils elektrischund mechanisch mit der Mehrzahl der zweiten Elektroden verbundenist; und eine Mehrzahl von jeweils auf der Oberfläche vondritten Elektroden angebrachten zweiten Erhebungselementen, wobei dieMehrzahl der dritten Elektroden jeweils durch die Mehrzahl der zweitenErhebungselemente elektrisch und mechanisch mit der Mehrzahl derLeitungselektroden verbunden ist.
    [0014] AndereAufgaben und Gesichtspunkte der Erfindung werden aus der nachstehendenBeschreibung einer Ausführungsformmit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen ersichtlich werden, inwelchen:
    [0015] 1 eine Draufsicht ist, welchedie Gesamtstruktur eines Halbleiter-Akzelerometers gemäß einerersten Aus führungsformder vorliegenden Erfindung schematisch darstellt;
    [0016] 2 eine an einer Linie II-IIin 1 genommene schematischeVertikalschnittansicht ist;
    [0017] 3 eine an einer Linie III-IIIin 2 genommene schematischeLateralschnittansicht ist;
    [0018] 4 eine schematische Vertikalschnittansichteines Halbleiter-Akzelerators gemäß einer zweiten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0019] 5 eine schematische Vertikalschnittansichteines Halbleiter-Akzelerators gemäß einer dritten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0020] 6 eine schematische Vertikalschnittansichteines Halbleiter-Akzelerators gemäß einer vierten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0021] 7 eine schematische Vertikalschnittansichteines Halbleiter-Akzelerators gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegendenErfindung ist;
    [0022] 8 eine schematische Vertikalschnittansichteines Halbleiter-Akzelerators gemäß einer sechsten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist;
    [0023] 9 eine Draufsicht ist, welchedie Gesamtstruktur eines Halbleiter-Akzelerometers gemäß einersiebenten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung, dessen Abdeckungsbauteil entfernt ist, schematischdarstellt;
    [0024] 10 eine an einer Linie X-Xin 9 genommene schematischeVertikalschnittansicht ist;
    [0025] 11 eine an einer Linie XI-XIin 10 genommene schematischeLateralschnittansicht ist;
    [0026] 12 eine Draufsicht ist,welche die Gesamtstruktur eines herkömmlichen Halbleiter-Akzelerometers,dessen Abdeckungselement entfernt ist, schematisch darstellt; und
    [0027] 13 eine schematische Vertikalschnittansichtdes in 12 gezeigtenherkömmlichenHalbleiter-Akzelerometers ist.
    [0028] Ausführungsformender Erfindung werden nachstehend mit Bezug auf die begleitendenZeichnungen beschrieben werden.
    [0029] Im übrigen repräsentierendie Ausführungsformenkapazitive Halbleitersensoren, auf jeden von welchen die vorliegendeErfindung angewendet ist. Jeder der kapazitiven Halbleitersensorenist in einem Fahrzeug eingebaut und mit einem hierin eingebautenAirbag kommunizierbar und ist in der Lage, einen entsprechendenFahrzeugaufprall zu erfassen, um das Aufprallerfassungssignal anden Airbag zu übertragen.
    [0030] 1 ist eine Draufsicht, welchedie Gesamtstruktur eines Halbleiter-Akzelerometers 11, dessenAbdeckungselement entfernt ist, gemäß einer ersten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung schematisch darstellt. 2 ist eine an einer Linie II-II in 1 genommene schematischeVertikalschnittansicht, und 3 isteine an einer Linie III-III in 2 genommeneschematische Lateralschnittansicht.
    [0031] Inder ersten Ausführungsform,wie sie in 1 bis 3 gezeigt ist, ist ein Halbleiterbeschleunigungssensor 11 miteinem quadratisch- oder rechteckig-parallelepipedförmigen Sensorchip 12 undeinem im wesentlichen quadratisch- oder rechteckig-parallelepipedförmigen Schaltkreischip 13,an welchem der Sensorchip 12 angebracht ist, um eine Stapelstrukturbereitzustellen, ausgestattet.
    [0032] DerHalbleiter-Akzelerometer 11 ist ebenso mit einem im wesentlichenquadratisch- oder rechteckig-parallelepipedförmigen Gehäuse 14 ausgestattet,in welchem die Stapelstruktur aus Sensor- und Schaltkreischip 12 und 13 enthaltenist.
    [0033] DerSensorchip 12 ist aus einem Siliziumsubstrat aufgebaut.Die Mitte des oberen Oberflächenabschnittsdes Sensorchips 12 ist mit einem BeschleunigungserfassungsabschnittAD als einem dynamischen Volumenerfassungsabschnitt ausgebildet.Der Beschleunigungserfassungsabschnitt AD ist konfiguriert, um eineBeschleunigung in wenigstens einer vorbestimmten Richtung zu erfassen.
    [0034] DerBeschleunigungserfassungsabschnitt AD, dessen Struktur wohlbekanntist, ist mit einer Balkenanordnung versehen, welche einen im wesentlichenstabförmigenMassenabschnitt und ein Paar von Balkenelementen aufweist. Der Massenabschnittbefindet sich in einem Öffnungsabschnitt,welcher in dem oberen Oberflächenabschnittdes Siliziumsubstrats ausgebildet ist und an beiden Enden jeweilsdurch die paarförmigenBalkenelemente in der wenigstens einen vorbestimmten Richtung beweglich gelagertist.
    [0035] DerBeschleunigungserfassungsabschnitt AD ist auch mit einer feststehendenElektrodenanordnung versehen, welche eine Mehrzahl von feststehendenElektroden aufweist. Die feststehenden Elektroden sind in feststehenderWeise in einer Siliziumschicht des Randabschnitts der oberen Oberfläche S1 desSiliziumchips durch MEMS (Mikroelektromechanische Systeme) ausgebildet.Der Beschleunigungserfassungsabschnitt AS ist auch mit einer Mehrzahlbeweglicher Elektroden versehen, welche sich senkrecht zu der Längsrichtung(der wenigstens einen vorbestimmten Richtung) des Massenabschnittsparallel von dem Massenabschnitt aus erstrecken.
    [0036] Diebeweglichen Elektroden sind so angeordnet, daß sie den feststehenden Elektrodenmit vorbestimmten dünnenSpalten gegenüberstehen.
    [0037] D.h.,wenn sich die Beschleunigung eines Objekts wie etwa eines Fahrzeugs,auf welchem der Halbleiter-Akzelerometer 11 installiertist, ändert,treten aufgrund der Beschleunigungsänderung Kapazitätsänderungenzwischen jeder feststehenden Elektrode und jeder beweglichen Elektrodedes Beschleunigungserfassungsabschnitts RD auf, so daß der BeschleunigungserfassungsabschnittAD die elektrische Signaländerungentsprechend den Kapazitätsänderungenals die Kapazitätsänderungenerfassen kann. Die elektrischen Signale werden von Elektrodenanschlußflecken,welche mit den feststehenden Elektroden und den beweglichen Elektroden verbundensind, genommen.
    [0038] DerHalbleiter-Akzelerometer 11 ist mit einer Anzahl von beispielsweisevier Elektrodenanschlußflecken 12a versehen,die auf der oberen Oberfläche S1des Sensorchips 12 ausgebildet sind. Die Elektrodenanschlußflecken 12a sindmit den Elektrodenanschlußfleckendes Beschleunigungserfassungsabschnitts AD so verbunden, daß die Elektrodenanschlußflecken 12a alseine elektrische Verbindung zwischen dem Sensorchip 12 unddem Schaltkreischip 13 dienen.
    [0039] Indieser ersten Ausführungsformbefinden sich, wie in 1 gezeigt,die Elektrodenanschlußflecken 12a jeweilsauf den Randabschnitten der oberen Oberfläche S1 des Chips. Jeder Elektrodenanschlußfleck 12a istin der Mitte jedes Rands (Seite) der oberen Oberfläche S1 desChips so angeordnet, daß dieElektrodenanschlußflecken 12a mitnäherungsweiseregelmäßigen Abständen über demgesamten Umfang der oberen Oberfläche S1 des Chips angeordnetsind. D.h., die Elektrodenanschlußflecken 12a sindso angeordnet, daß siean die Seiten des Beschleunigungserfassungsabschnitts AD angrenzenund diesem jeweils gegenüberstehen.
    [0040] DerSchaltkreischip 13 weist obere und untere Oberflächen 13s1 und 13s2 auf,die einander gegenüberliegenund deren Flächengrößer alsdie Flächeder oberen Oberflächedes Halbleiterchips 12 ist. Der Schaltkreischip 13 enthält eineSignalverarbeitungsschaltung, welche wirksam ist, um das durch denSensorchip 12 erfaßteelektrische Signal zu bearbeiten.
    [0041] Dermittlere Bereich der unteren Oberfläche 13s2 des Schaltkreischips 13 istals der Chipmontagebereich MA definiert, auf welchem der Sensorchip 12 montiertwird.
    [0042] DerHalbleiter-Akzelerometer 11 ist mit einer Anzahl von beispielsweisevier Elektrodenanschlußflecken 13a versehen,welche auf dem Chipmontagebereich MA der unteren Oberfläche 13s2 desSchaltkreischips ausgebildet sind, um jeweils den Elektrodenanschlußflecken 12a zuentsprechen.
    [0043] DerHalbleiter-Akzelerometer 11 ist auch mit einer Anzahl vonbeispielsweise zehn Elektrodenanschlußflecken 13b versehen.D.h., fünfder Elektrodenanschlußflecken 13b sindauf einer der paarweise angeordneten gegenüberliegenden Seiten der unterenOberfläche 13s2 desSchaltkreischips 13 so ausgebildet, daß sie in einer Reihe mit regelmäßigen Abständen angeordnetsind. Die verbleibenden fünf Elektrodenanschlußflecken 13b sindauf der anderen der paarweise angeordneten gegenüberliegenden Seiten der unterenOberfläche 13s2 soausgebildet, daß siein einer Reihe mit regelmäßigen Abständen angeordnetsind.
    [0044] DasGehäuse 14 istbeispielsweise aus einem Keramiksubstrat hergestellt und ausgelegt,um eine innen hohle und oben geöffneterechteckig-parallelepipedförmigeGestalt mit einer dünnenDicke aufzuweisen.
    [0045] D.h.,das Gehäuse 14 miteiner quadratischen oder rechteckigen unteren Wand 14a undeiner quadratisch- oder rechteckig-ringförmigen bzw. -röhrenförmigen Wand 14b,welche an ihrer unteren Oberflächean dem Rand der oberen Oberflächeder unteren Wand 14a angebracht ist, aufgebaut. Die untereWand 14a und die röhrenförmige Wand 14b stellenhierzwischen eine Sensorchipaufnahmekammer C1 bereit, in welchemder Sensorchip 12 enthalten ist.
    [0046] DasGehäuse 14 istauch mit einer quadratisch- oder rechteckig-ringförmigen bzw.-röhrenförmigen Wand 14c aufgebaut,welche an ihrer unteren Oberflächeauf dem äußeren Randder oberen Oberfläche 14b1 derröhrenförmigen Wand 14b angebrachtist. Die röhrenförmige Wand 14c undder innere Rand der oberen Oberfläche 14b1 der röhrenförmigen Wand 14b stelleneine Schaltkreischipaufnahmekammer C3 bereit, in welchem der Schaltkreischip 13 enthaltenist.
    [0047] DerHalbleiter-Akzelerator 1 ist an dem inneren Rand der oberenOberfläche 14b1 derröhrenförmigen Wand 14b miteiner Anzahl von beispielsweise zehn Leitungselektroden LE versehen,welche an dem inneren Rand der oberen Oberfläche 14b1 der röhrenförmigen Wandausgebildet sind, um jeweils den Elektrodenanschlußflecken 13b zuentsprechen.
    [0048] DieseLeitungselektroden LE sind elektrisch mit äußeren Leitungen (nicht gezeigt)verbunden, die jeweils an dem äußeren Oberflächenabschnittdes Gehäuses 14 ausgebildetsind.
    [0049] DerHalbleiter-Akzelerator 11 ist mit einer Mehrzahl von, d.h.,vier elektrisch leitfähigenhaftfähigenErhebungen 15 aufgebaut. Die vier Erhebungen 15 sindjeweils zwischen den Elektrodenanschlußflecken 12a des Sensorchips 12 undden Elektrodenanschlußflecken 13a desSchaltkreischips 13 angeordnet.
    [0050] D.h.,der Sensorchip 12 ist mit dem Gesicht nach unten so aufdem Schaltkreischip 13 montiert, daß die Elektrodenanschlußflecken 12a unddie Elektrodenanschlußflecken 13a durchdie Erhebungen 15 elektrisch und mechanisch miteinanderverbunden sind. Als ein Ergebnis ist der Sensorchip 12 durcheine haftfähigeleitfähigeErhebungsverbindung auf der Grundlage des Flip-Chip-Verfahrens elektrischund mechanisch auf dem Schaltkreischip 13 montiert, welcherals ein Multichip-Modul ausgelegt ist.
    [0051] Zusätzlich istder Halbleiter-Akzelerator 11 mit einer Mehrzahl von, d.h.,zehn elektrisch leitfähigenhaftfähigenErhebungen 16 aufgebaut. Die zehn Erhebungen 16 sindjeweils zwischen den Elektrodenanschlußflecken 13b des Schaltungschips 13 undden Leitungselektroden LE des Gehäuses 14 angeordnet.
    [0052] D.h.,der Schaltkreischip 13 des Multichip-Moduls ist mit demGesicht nach unten auf der oberen Oberfläche 14b1 der röhrenförmigen Wand 14b desGehäusesso montiert, daß dieElektrodenanschlußflecken 13b unddie Leitungselektroden LE durch die haftfähigen leitfähigen Erhebungen 16 elektrischund mechanisch miteinander verbunden sind. Im übrigen können als die elektrisch leitfähigen haftfähigen Erhebungen 15 und 16 Lothöcker, Goldhöcker oderHöckeraus anderen ähnlichenMaterialien verwendet werden.
    [0053] Desweiteren ist der Halbleiter-Akzelerator 11 aus einem Abdeckungselement 17 aufgebaut, welchesin die obere geöffneteWand des Gehäuses 14 soeingepaßtist, daß dieobere geöffneteWand des Gehäuses 14 luftdichtverschlossen ist.
    [0054] DieErhebungen 15 und 16 können im voraus gleichzeitigauf den Elektrodenanschlußflecken 13a bzw. 13b durchein Plattierverfahren oder durch Flip-Chip-Verbindung als Stehhöcker ausgebildet werden.
    [0055] Fallsdiese Verfahren verwendet werden, können die Erhebungen 15 und 16 aufeinem Wafer ausgebildet sein, auf welchem die Mehrzahl der Gruppen,die jeweils Komponenten des Schaltkreischips 13 aufweisen,ausgebildet sind. D.h., nach Ausbildung der Erhebungen 15 und 16 werdendie Komponentengruppen geschnitten, um jeden Schaltkreischip 13 herzustellen.Zusätzlichist es sinnvoll, daß imFalle der Verwendung dieser Verfahren die Erhebungen 15 und 16 aufjedem Schaltkreischip 13 nach dem Schneiden ausgebildetwerden.
    [0056] DerSensorchip 12 kann auf dem Schaltkreischip 13 durchUltraschall-Druckbonden (ultrasonic pressure Bonding), thermischesDruckbonden (thermal pressure Bonding) oder Rückflußbonden (reflow Bonding) montiertwerden.
    [0057] BeimAnbringen des Schaltkreischips 13 des Multichip-Moduls auf der oberenOberfläche 141 der röhrenförmigen Wand 14 desGehäuseskann eine der gleichen Verbindungsverfahren, die oben beschriebenwurden, angewendet werden.
    [0058] Wiezuvor beschrieben, sind in der Struktur des Halbleiter-Akzelerators 11 derSensorchip 12 und der Schaltkreischip 13 elektrischund mechanisch durch die Erhebungen 15 miteinander verbunden,was das Erfordernis beseitigt, Verbindungsbereiche sicherzustellen,die fürdie Verbindungen des Sensorchips und des Schaltkreischips durchBonddrähtebenötigtwerden.
    [0059] DieStruktur des Halbleiter-Akzelerators 11 ermöglicht daher,daß dieAbständezwischen nebeneinander liegenden Erhebungen groß sind, ohne Unannehmlichkeitenetwa dergestalt, daß dieFläche desSchaltkreischips 13 groß ist, hervorzurufen, was esmöglichmacht, die unter den Erhebungen 15 hervorgerufenen parasitären Kapazitäten zu reduzieren.
    [0060] Zusätzlich weisendie Erhebungen 15 eine größere Steifigkeit im Vergleichmit Bonddrähtenauf, was ungeachtet äußerer Erschütterungenverhindern kann, daß dieErhebungen 15 selbst verformt werden, was es ermöglicht,die Abweichung der parasitärenKapazitätenzu verhindern.
    [0061] Insbesondereist, weil in der ersten Ausführungsformjeder Elektrodenanschlußfleck 12a inder Mitte jeder Seite der oberen Oberfläche S1 des Chips angeordnetist, jede Erhebung 15 gleichermaßen in der Mitte jeder Seiteder oberen OberflächeS1 des Chips angeordnet. Dieser Aufbau hält zusätzlich zu den vorgenanntenWirkungen, daß dieAbständeder nebeneinander liegenden Erhebungen 15 groß sind, umdie unter den Erhebungen 15 hervorgerufenen parasitären Kapazitäten zu reduzieren,die mechanische Verbindbarkeit zwischen dem Sensorchip 12 unddem Schaltkreischip 13 in einer guten Balance.
    [0062] DieVerbindung durch Erhebungen zwischen dem Sensorchip 12 unddem Schaltkreischip 13 ermöglicht die stapelweisen Verbindungenzwischen allen Elektrodenanschlußflecken 12a und allenentsprechenden Elektrodenanschlußflecken 13a.
    [0063] Zusätzlich sindder Schaltkreischip 13 und das Gehäuse 14 durch Erhebungen 16 elektrischund mechanisch miteinander verbunden, was die stapelweisen Verbindungenzwischen allen Elektrodenanschlußflecken 13a und allenentsprechenden Leitungselektroden LE ermöglicht.
    [0064] Diesestapelweisen Verbindungen verbessern die Konfektionierbarkeit desHalbleiter-Akzelerators 1.
    [0065] Zusätzlich weistdie Struktur des Halbleiter-Akzelerators 1 keine Notwendigkeitauf, den Ort von Werkzeugen fürBonddrähtezu berücksichtigen, wases ermöglicht,die Freiheit des Chipdesigners zu verbessern.
    [0066] Wiezuvor beschrieben, sind in dem Halbleiter-Akzelerator 1 miteiner solchen Stapelstruktur, daß der Sensorchip 12 aufdem Schaltkreischip 13 angebracht ist, der Sensorchip 12 undder Schaltkreischip 13 sowie der Schaltkreischip 13 unddas Gehäuse 14 durchErhebungen 15 und 16 mechanisch und elektrischmiteinander verbunden. Diese Verbindungen durch Erhebungen reduzierendie unter den elektrischen Verbindungsabschnitten zwischen dem Sensorchip 12 unddem Schaltkreischip 13 verursachten parasitären Kapazitäten, wodurchdas Erfassungsvermögenund die Auslegungsfreiheit des Akzelerators 1 jeweils verbessertwerden.
    [0067] Alsnächsteswerden nachstehend zweite bis siebente Ausführungsformen der vorliegendenErfindung erläutertwerden.
    [0068] Im übrigen sindElementen jedes Halbleiter-Akzelerators gemäß jeder der zweiten bis siebentenAusführungsform,welche denen des Halbleiter-Akzelerators 11 gemäß der erstenAusführungsformim wesentlichen identisch sind, die gleichen Bezugszeicheneigenschaftendes in 1 bis 3 gezeigten Halbleiter-Akzeleratorszugeordnet, und Erläuterungenhierüberwerden weggelassen oder vereinfacht. D.h., der Akzent wird auf spezifischePunkte jedes Halbleiter-Akzelerators gemäß jeder der zweiten bis siebentenAusführungsformgelegt, welche sich von dem Halbleiter-Akzelerator 11 gemäß der ersten Ausführungsformunterscheiden.
    [0069] 4 ist eine schematischeVertikalschnittansicht eines Halbleiter-Akzelerators 21 gemäß einer zweitenAusführungsformder vorliegenden Erfindung, welche 2 derersten Ausführungsformentspricht.
    [0070] DerHalbleiter-Akzelerator 21 ist mit einem Gehäuse 23 versehen,welches dem Gehäuse 14 entspricht.
    [0071] D.h.,das Gehäuse 23 bestehtaus einer quadratischen oder rechteckigen unteren Wand 23a,einer quadratisch- oderrechteckig-ringförmigenbzw. -röhrenförmigen Wand 23b,welche auf dem Rand der oberen Oberfläche der unteren Wand 14a angebrachtist, und einer quadratisch- oder rechteckig-ringförmigen bzw.-röhrenförmigen Wand 23c, welcheauf dem äußeren Randder oberen Oberfläche 23b1 derröhrenförmigen Wand 23b angebracht ist.
    [0072] Indieser zweiten Ausführungsformweist ein Sensorchip 22 eine ausreichende Dicke auf, welche inder Lage ist, von dem Gehäuse 23 verursachten thermischenBelastungen zu widerstehen.
    [0073] Dieröhrenförmige Wand 23b weistebenfalls eine ausreichende Dicke auf, welche ermöglicht,daß dieSensorchipaufnahmekammer C1a, die zwischen der röhrenförmigen Wand 23b undder unteren Wand 23a vorgesehen ist, den Sensorchip 22 aufnimmt.
    [0074] Gleichermaßen sindder Sensorchip 22 und der Schaltkreischip 13 sowieder Schaltkreischip 13 und das Gehäuse 23 durch Erhebungen 15 und 16 mechanischund elektrisch miteinander verbunden.
    [0075] Esist festzuhalten, daß ineinem Halbleiter-Akzelerator, der in Fahrzeugen installiert ist,der Halbleiter-Akzelerator in einer Umgebung verwendet wird, welchevon dem Wärmezyklusdes Fahrzeugs abhängt.Zusätzlichunterscheidet sich der thermische Ausdehnungskoeffizient des Gehäuses 23 von demdes Sensorchips 22 und des Schaltkreischips 13.Diese Eigenschaft kann bewirken, daß die thermische Belastungbzw. Spannung von dem Gehäuse 23 aufden Sensorchip 22 so übertragenwird, daß derSensorchip 22 fürVerformungen anfälligist. Die Verformung des Sensorchips 22 kann Fehler in den durchden Beschleu nigungserfassungsabschnitt AD erfaßten Werten verursachen.
    [0076] Inder zweiten Ausführungsformsind auf der Grundlage der hohen Auslegungsfreiheit des Sensorchips 22,die durch die Verwendung der Erhebungen 15 und 16 erhaltenwird, der Sensorchip 22 und das Gehäuse 23 jedoch so ausgelegt,daß derSensorchip 23 die ausreichende Dicke aufweist, um der vondem Gehäuse 23 hervorgerufenenthermischen Belastung zu widerstehen, was es ermöglicht, eine Verformung desSensorchips 22 aufgrund der thermischen Belastung von demGehäuse 23 zuverhindern.
    [0077] 5 ist eine schematischeVertikalschnittansicht eines Halbleiter-Akzelerators 31 gemäß einer drittenAusführungsformder vorliegenden Erfindung, welche 2 derersten Ausführungsformentspricht.
    [0078] Inder dritten Ausführungsformist jede Dicke (Höhe,Länge)jeder der Erhebungen 32, welche eine Verbindung zwischenjedem der Elektrodenanschlußflecken 12a undjedem der Elektrodenanschlußflecken 13 herstellen,größer alsdie jedes der Anschlußflecken 16,welche die Elektrodenanschlußflecken 13a desSchaltkreistyps 13 mit den Leitungselektroden LE des Gehäuses 14 verbinden.
    [0079] Dader Schaltkreischip 13 und der Sensorchip 12 durchdie Erhebungen 32, die jeweils die große Höhe aufweisen, mechanisch verbundensind, wird in dieser Struktur, wenn die von dem Gehäuse 14 hervorgerufenethermische Belastung dem Schaltkreischip 13 auferlegt wird,die durch den Schaltkreischip 12 hindurch übertragenethermische Belastung in den Erhebungen 32 absorbiert, wases ermöglicht,eine Verformung des Sensorchips 12 aufgrund der thermischenBelastung von dem Gehäuse 14 auszu verhindern.
    [0080] 6 ist eine schematischeVertikalschnittansicht eines Halbleiter-Akzelerators 41 gemäß einer viertenAusführungsformder vorliegenden Erfindung, welche 2 derersten Ausführungsformentspricht.
    [0081] Inder vierten Ausführungsformist der Halbleiter-Akzelerator 41 mit einer Mehrzahl von,d.h., zehn elektrisch leitfähigenhaftfähigenElementen 42, die jeweils zwischen den auf den Elektrodenanschlußflecken 13b desSchaltkreischips 13 und den Leitungselektroden LE des Gehäuses 14 angebrachtenErhebungen 16 angeordnet sind, aufgebaut.
    [0082] DieseStruktur ermöglichtdie Elastizitätder elektrisch leitfähigenhaftfähigenElemente 42, um die von dem Gehäuse 14 hervorgerufenethermische Belastung auf den Schaltkreischip 13 zu absorbieren, wases ermöglicht,eine Verformung des Sensorchips 12 aufgrund der thermischenBelastung von dem Gehäuse 14 zuverhindern.
    [0083] 7 ist eine schematischeVertikalschnittansicht eines Halbleiter-Akzelerators 51 gemäß einer fünften Ausführungsformder vorliegenden Erfindung, welche 2 derersten Ausführungsformentspricht.
    [0084] Indieser fünftenAusführungsformweist ein Schaltkreischip 52 eine hinreichend dünne Dickeauf, welche die von dem Gehäuse 23 hervorgerufene thermischeBelastung aufnimmt.
    [0085] D.h.,wenn die von dem Gehäuse 14 hervorgerufenethermische Belastung dem Schaltkreischip 52 auferlegt wird,wird der Schaltkreischip 52 gebogen, um die thermischeBelastung zu absorbieren, weil der Schaltkreischip 52 diehinreichend dünneDicke aufweist, was es möglichmacht, eine Verformung des Sensorchips 12 aufgrund derthermischen Belastung von dem Gehäuse 14 zu verhindern.
    [0086] 8 ist eine schematischeVertikalschnittansicht eines Halbleiter-Akzelerators 61 gemäß einer sechstenAusführungsformder vorliegenden Erfindung, welche 2 derersten Ausführungsformentspricht.
    [0087] Indieser sechsten Ausführungsformist ein Schaltkreischip 62 an seinem mittleren Abschnittmit einem Membranabschnitt 62a ausgebildet. D.h., der mittlereAbschnitt des Schaltkreischips 62 ist einwärts ausgehöhlt, umden Membranabschnitt 62a auszubilden.
    [0088] DerMembranabschnitt 62a weist eine hinreichend dünne Dickeauf, welche die von dem Gehäuse 23 hervorgerufenethermische Belastung aufnimmt.
    [0089] D.h.,wenn die von dem Gehäuse 14 hervorgerufenethermische Belastung dem Schaltkreischip 62 auferlegt wird,wird der Membranabschnitt 62a des Schaltkreischips 62 gebogen,um die thermische Belastung zu absorbieren, weil der Membranabschnitt 62a diehinreichend dünneDicke aufweist, was es ermöglicht,eine Verformung des Sensorchips 12 aufgrund der thermischenBelastung von dem Gehäuse 14 zuverhindern.
    [0090] 9 ist eine Draufsicht, welchedie Gesamtstruktur eines Halbleiter-Akzelerators 71, dessenAbdeckungselement entfernt ist, gemäß einer siebenten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung schematisch darstellt. 10 ist eine an einer Linie X-X in 9 genommene schematischeVertikalschnittansicht, und 11 isteine an einer Linie XI-XI in 10 genommeneschematische Lateralschnittansicht.
    [0091] Inder siebenten Ausführungsformist der Halbleiter-Akzelerometer 71 miteinem quadratisch- oder rechteckigparallelepipedförmigen Sensorchip 72 undeinem im wesentlichen quadratisch- oder rechteckig-parallelepipedförmigen Schaltkreischip 73,auf welchem der Sensorchip 72 angebracht ist, um eine Stapelstrukturso wie der Sensorchip 12 und der Schaltkreischip 13 vorzusehen,ausgestattet.
    [0092] DerHalbleiter-Akzelerometer 71 ist auch mit einer Anzahl vonbeispielsweise vier Elektrodenanschlußflecken 73a, dieauf dem Beschleunigungserfassungsabschnitt AD des Sensorchips inbeispielsweise einer Matrix angeordnet ausgebildet sind, versehen.D.h., die Elektrodenanschlußflecken 12a dienenals Leitungselektroden des Beschleunigungserfassungsabschnitts ADund als elektrische Verbindung zwischen dem Sensorchip 72 unddem Schaltkreischip 73. Der Schaltkreischip 73 weistobere und untere Oberflächen 73s1 und 73s2 auf,die einander gegenüberliegen.
    [0093] DerHalbleiter-Akzelerometer 71 ist mit einer Anzahl von beispielsweisevier Elektrodenanschlußflecken 73a versehen,die auf dem Chipmontagebereich MA der oberen Oberfläche 73s2 desSchaltkreischips ausgebildet sind, um jeweils den Elektrodenanschlußflecken 72a zuentsprechen.
    [0094] DerHalbleiter-Akzelerator 71 besteht aus einer Mehrzahl von,d.h., vier elektrisch leitfähigenhaftfähigenErhebungen 74. Die vier Erhebungen 74 sind zwischenden Elektrodenanschlußflecken 72a des Sensorchips 72 undden Elektrodenanschlußflecken 73a desSchaltkreischips 73 jeweils angeordnet.
    [0095] D.h.,der Sensorchip 72 ist mit dem Gesicht nach unten auf demSchaltkreischip 73 so montiert, daß die Elektrodenanschlußflecken 72a unddie Elektrodenanschlußflecken 73a durchdie Erhebungen 74 jeweils elektrisch und mechanisch miteinanderverbunden sind.
    [0096] Indieser Struktur sind die Erhebungen 74 von dem Gehäuseabschnitt 14 (derröhrenförmigen Wand 14b)ferngehalten, was es ermöglicht,daß die thermischeBelastung von dem Gehäuse 14 schwer durchdie Erhebungen 74 an den Sensorchip 72 übertragenwerden, was es ermöglicht,eine Verformung des Sensorchips 72 aufgrund der thermischen Belastungvon dem Gehäuse 14 zuvermeiden.
    [0097] Im übrigen istdie vorliegende Erfindung in jeder der ersten bis siebenten Ausführungsformenauf jeden der Halbleiter-Akzeleratoren entsprechend der ersten bissiebenten Ausführungsformangewendet, die vorliegende Erfindung kann jedoch auf andere Typenvon kapazitiven Halbleitersensoren angewendet werden, wie etwa einemGierratensensor.
    [0098] Zusätzlich istin jeder der ersten bis siebenten Ausführungsform jeder der Halbleiter-Akzeleratorenmit einem einzigen auf dem Schaltkreischip montierten Sensorchipversehen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diesenAufbau beschränkt. D.h.,ein kapazitiver Sensor gemäß der vorliegenden Erfindungkann eine Mehrzahl von Sensorchips aufweisen, die auf dem Schaltkreischipmontiert sind.
    [0099] Zusätzlich istes möglich,eine der Strukturen, die auf die erste bis siebente Ausführungsform bezogenist, mit einer anderen der Strukturen, die auf die erste bis siebenteAusführungsformbezogen ist, zu kombinieren.
    [0100] Darüber hinauskönnendie Formen des Sensorchips, des Schaltkreischips und des Gehäuses innerhalbdes Umfangs der vorliegenden Erfindung geändert werden. Ferner kann dieAnzahl der Elektrodenanschlußfleckendes Sensorchips, die der Elektrodenanschlußflecken des Schaltkreischips,und die der Erhebungen, welche die Anschlußflecken bzw. Lötungen desSensorchips mit den Anschlußflecken bzw.Lötungendes Schaltkreischips verbinden, innerhalb des Umfangs der vorliegendenErfindung geändertwerden. Gleichermaßenkann die Anzahl der Elektrodenanschlußflecken des Schaltkreischipsund die der Leitungselektroden innerhalb des Umfangs der vorliegendenErfindung geändertwerden.
    [0101] Zusätzlich können diePositionen der Elektrodenanschlußflecken des Sensorchips, dieder Elektrodenanschlußfleckendes Schaltkreischips und jene der Erhebungen, welche die Anschlußflecken desSensorchips mit den Anschlußfleckendes Schaltkreischips verbinden, innerhalb des Umfangs der vorliegendenErfindung geändertwerden. Gleichermaßenkönnendie Positionen der Elektrodenanschlußflecken des Schaltkreischipsund jene der Leitungselektroden innerhalb des Umfangs der vorliegendenErfindung geändertwerden.
    [0102] Während beschriebenworden ist, was derzeit als die Ausführungsformen und Modifikationen derErfindung angesehen wird, wird verständlich sein, daß verschiedene Modifikationen,die noch nicht beschrieben worden sind, dennoch hierin gemacht werdenkönnen,und es ist beabsichtigt, in den beigefügten Ansprüchen alle solchen Modifikationen soabzudecken, wie sie in den wahren Gehalt und Umfang der Erfindungfallen.
    [0103] DieseAnmeldung stütztsich auf und beansprucht den Vorzug der Priorität der früheren japanischen Patentanmeldung2003-061564, die am 7. März2003 hinterlegt worden ist, so daß deren Inhalt durch Bezugnahmehierin eingeschlossen ist.
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] Kapazitiver Halbleitersensor, welcher aufweist: einenSensorchip, welcher hierin einen dynamischen Volumenerfassungsabschnitt,eine erste Oberfläche undeine Mehrzahl von ersten Elektroden aufweist, wobei die Mehrzahlder ersten Elektroden auf der ersten Oberfläche angeordnet und elektrischmit dem dynamischen Volumenerfassungsabschnitt. verbunden ist, wobeider dynamische Volumenerfassungsabschnitt konfiguriert ist, um eineKapazitätsänderungentsprechend einer dynamischen Volumenänderung zu erfassen, um durchdie Mehrzahl der ersten Elektroden eine elektrische Signaländerungauszugeben, welche die Kapazitätsänderungrepräsentiert; einenSchaltkreischip, welcher hierin eine Signalverarbeitungsschaltung,eine zweite Oberflächeund eine Mehrzahl von auf der zweiten Oberfläche angeordneten zweiten unddritten Elektroden aufweist; ein Gehäuse, welches hierin den Sensorchipund den Schaltkreischip enthältund eine Mehrzahl von Leitungselektroden aufweist; eine Mehrzahlvon jeweils auf der Mehrzahl der zweiten Elektroden angebrachtenersten Erhebungselementen, wobei der Sensorchip mit seiner ersten Oberfläche aufder zweiten Oberflächedes Schaltkreischips so angebracht ist, daß die Mehrzahl der ersten Elektrodendurch die Mehrzahl der ersten Erhebungselemente jeweils elektrischund mechanisch mit der Mehrzahl der zweiten Elektroden verbunden ist;und eine Mehrzahl von jeweils auf der Oberfläche von drittenElektroden angebrachten zweiten Erhe bungselementen, wobei die Mehrzahlder dritten Elektroden jeweils durch die Mehrzahl der zweiten Erhebungselementeelektrisch und mechanisch mit der Mehrzahl der Leitungselektrodenverbunden ist.
    [2] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß dieMehrzahl der ersten Elektroden auf einem Rand der ersten Oberfläche desSensorchips mit näherungsweiseregelmäßigen Abständen angeordnetist, die Mehrzahl der zweiten Elektroden auf der zweiten Oberfläche des Schaltkreischipsso angeordnet ist, daß siejeweils der Mehrzahl der ersten Elektroden entspricht, und die Mehrzahlder ersten Erhebungselemente jeweils zwischen der Mehrzahl der erstenElektroden und der Mehrzahl der zweiten Elektroden angeordnet ist.
    [3] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß derSensorchip eine vorbestimmte Dicke aufweist, welche gegen eine von demGehäusehervorgerufene thermische Belastung widerstandsfähig ist.
    [4] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß jedesder Mehrzahl der ersten Erhebungselemente eine erste vorbestimmteLänge zwischenjeder der Mehrzahl der ersten Elektroden und jeder der Mehrzahlder zweiten Elektroden aufweist, jede der Mehrzahl der zweiten Erhebungselementeeine zweite vorbestimmte Längezwischen jeder der Mehrzahl der dritten Elektroden und jeder derMehrzahl der Leitungselementen aufweist, und jede der ersten vorbestimmtenLängen jederder Mehrzahl der ersten Erhebungselemente größer als jede der zweiten vorbestimmtenLängen jedesder Mehrzahl der zweiten Erhebungselemente ist.
    [5] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß jedesder Mehrzahl der zweiten Erhebungselemente aufweist: eine Mehrzahlvon Erhebungen, die auf jeder der Mehrzahl der dritten Elektrodenangebracht ist; und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen haftfähigen Elementen,die zwischen jeder der Mehrzahl der Erhebungen und jeder der Mehrzahlder Leitungselektroden angeordnet sind.
    [6] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß derSchaltkreischip eine vorbestimmte Dicke aufweist, welche für eine vondem Gehäusehervorgerufene thermische Belastung aufnahmefähig ist.
    [7] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß derSchaltkreischip eine vorbestimmte Dicke aufweist, die für eine von demGehäusehervorgerufene thermische Belastung aufnahmefähig ist.
    [8] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß derSchaltkreischip einen mittleren Abschnitt aufweist, der einwärts ausgehöhlt ist,so daß eineDicke des mittleren Abschnitts füreine von dem Gehäusehervorgerufene thermische Belastung aufnahmefähig ist.
    [9] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß dieMehrzahl der ersten Elektroden auf einem mittleren Abschnitt der erstenOberflächedes Sensorchips angeordnet ist, die Mehrzahl der zweiten Elektrodenauf der zweiten Oberflächedes Schaltkreischips angeordnet ist, um jeweils der Mehrzahl derersten Elektroden zu entsprechen, und die Mehrzahl der ersten Erhebungselementejeweils zwischen der Mehrzahl der ersten Elektroden und der Mehrzahlder zweiten Elektroden angeordnet ist.
    [10] Kapazitiver Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß dasGehäuseaufweist: eine untere Wand; eine erste ring- bzw. röhrenförmige Wand,deren untere Oberflächeauf einem Rand der unteren Wand angebracht ist, wobei die untereWand und die erste röhrenförmige Wandhierzwischen eine erste Kammer bereitstellen, wobei der Sensorchipin der ersten Kammer aufgenommen ist; und eine zweite ring-bzw. röhrenförmige Wand,deren untere Oberflächeauf einem äußeren Randeiner oberen Oberflächeder ersten röhrenförmigen Wand angebrachtist, wobei die erste röhrenförmige Wand unddie zweite röhrenförmige Wandhierzwischen eine zweite Kammer bereitstellen, wobei die zweite Kammermit der ersten Kammer in Verbindung steht, wobei der Schaltkreischipin der zweiten Kammer aufgenommen ist; wobei die Mehrzahl derdritten Elektroden auf einem Rand der zweiten Oberfläche desSchaltkreischips mit näherungsweiseregelmäßigen Abständen an geordnetist, und die Mehrzahl der Leitungselektroden auf einem inneren Randder oberen Oberflächeder ersten röhrenförmigen Wandangeordnet ist, um jeweils der Mehrzahl der dritten Elektroden zuentsprechen, und die Mehrzahl der zweiten Erhebungselemente jeweilszwischen der Mehrzahl der dritten Elektroden und der Mehrzahl derLeitungselektroden angeordnet ist.
    [11] In einem Objekt installierter Halbleiter-Akzelerator,wobei der Halbleiter-Akzelerator aufweist: einen Sensorchip,welcher hierin einen Beschleunigungserfassungsabschnitt, eine ersteOberfläche undeine Mehrzahl von ersten Elektroden aufweist, wobei die Mehrzahlder ersten Elektroden auf der ersten Oberfläche angeordnet und elektrischmit dem Beschleunigungserfassungsabschnitt verbunden sind, wobeider Beschleunigungserfassungsabschnitt konfiguriert ist, um eineKapazitätsänderung entsprechendeiner Beschleunigungsänderungdes Objekts zu erfassen, um durch die Mehrzahl der ersten Elektrodeneine elektrische Signaländerungauszugeben, welche die Kapazitätsänderungrepräsentiert; einenSchaltkreischip, welcher hierin eine Signalverarbeitungsschaltung,eine zweite Oberflächeund eine Mehrzahl von auf der zweiten Oberfläche angeordneten zweiten unddritten Elektroden aufweist; ein Gehäuse, welches hierin den Sensorchipund den Schaltkreischip enthältund eine Mehrzahl von Leitungselektroden aufweist; eine Mehrzahlvon jeweils auf der Mehrzahl der zweiten Elektroden angebrachtenersten Erhebungselemente, wobei der Sensorchip mit seiner erstenOber flächeauf der zweiten Oberflächedes Schaltkreischips so angebracht ist, daß die Mehrzahl der ersten Elektrodendurch die Mehrzahl der ersten Erhebungselemente jeweils elektrischund mechanisch mit der Mehrzahl der zweiten Elektroden verbunden ist;und eine Mehrzahl von jeweils auf der Oberfläche von drittenElektroden angebrachten zweiten Erhebungselementen, wobei die Mehrzahlder dritten Elektroden jeweils durch die Mehrzahl der zweiten Erhebungselementeelektrisch und mechanisch mit der Mehrzahl der Leitungselektrodenverbunden ist.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US7268435B2|2007-09-11|
    JP2004271312A|2004-09-30|
    US20040173913A1|2004-09-09|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2008-07-10| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2011-02-24| R002| Refusal decision in examination/registration proceedings|
    2011-06-22| R003| Refusal decision now final|Effective date: 20110325 |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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